【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域I和II的P型外延层，I区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化
【摘要】 砂料传递机构，竖直放置，其高端高于砂料仓，低端低于操作地面，高端与低端间设有导轨，高端的导轨弯折至砂料仓上方；所述砂料传递机构的卷筒位于弯折导轨的上方，并与驱动机构连接；卷筒上绕设绳索，绳索另一端连接砂料斗。砂料斗设于井内，砂料自动流入砂料斗，装有砂料的砂料斗在卷筒上绳索的牵引下，沿导轨提升至一定高度后自动翻转将砂料倾倒进料仓内。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡市优耐特石化装备有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214142 江苏省无锡市新区硕放工业园裕安一路 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010203668.8 【申请日】2010-06-12 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102069432A 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】B24B7/00 【发明人】杨伟凯 【主权项内容】砂料传递机构，竖直放置，其高端高于砂料仓，低端低于操作地面，高端与低端间设有导轨，高端的导轨弯折至砂料仓上方；所述砂料传递机构的卷筒位于弯折导轨的上方，并与驱动机构连接；卷筒上绕设绳索，绳索另一端连接砂料斗。 【当前权利人】无锡市优耐特石化装备有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区硕放工业园裕安一路 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320213752735966L 【引证次数】6.0 【被引证次数】2 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2
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