【摘要】 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括步骤：提供晶片，所述晶片背面具有多晶硅层，所述晶片正面具有半导体器件；形成覆盖所述多晶硅层的氧化物层。本发明解决了工艺线后段时清洗工艺对晶片背面的多晶硅层造成的损伤的问题。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010208056.8 【申请日】2010-06-21 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102290349A 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/316; H01L23/29 【发明人】赵福; 周国平; 赵金强; 牛建礼 【主权项内容】一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供晶片，所述晶片背面具有多晶硅层，所述晶片正面具有半导体器件；形成覆盖所述多晶硅层的氧化物层。。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】8.0 【被引证次数】4 【他引次数】8.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】4

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