【摘要】 本发明提供了一种接触孔的形成方法以及半导体结构，所述形成方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括相邻的有源区以及隔离区，所述有源区以及隔离区的表面形成有层间介质层；在所述层间介质层的表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成开口，所述开口在垂直界面上横跨有源区以及隔离区，底部露出层间介质层；在所述开口的竖直内壁上形成侧墙；以所述掩膜层以及侧墙为掩膜，刻蚀层间介质层形成接触孔，所述接触孔的底部露出有源区以及隔离区。本发明适于制作无边界接触孔，易于控制接触孔的宽度，进一步避免隔离区的刻蚀深度过深的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010187418.X 【申请日】2010-05-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263055A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/768; H01L23/528 【发明人】任小兵; 许忠能; 薛浩; 王吉伟 【主权项内容】一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括相邻的有源区以及隔离区，所述有源区以及隔离区的表面形成有层间介质层；在所述层间介质层的表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成开口，所述开口在垂直界面上横跨有源区以及隔离区，底部露出层间介质层；在所述开口的竖直内壁上形成侧墙；以所述掩膜层以及侧墙为掩膜，刻蚀层间介质层形成接触孔，所述接触孔的底部露出有源区以及隔离区。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】2.0 【被引证次数】5 【他引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5

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