【摘要】本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法,包括:提供一半导体基底;在半导体基底上制绒;对半导体基底进行扩散掺杂,在半导体基底正面形成扩散层,扩散层包括表层的高掺杂浓度层和内层的低掺杂浓度层;对扩散后的半导体基底进行去边处理;在扩散
【摘要】 本实用新型涉及一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构,包括引脚(2)、无填料的塑封料(环氧树脂)(3)、锡金属的粘结物质(6)、芯片(7)有填料塑封料(环氧树脂)(9),在所述引脚(2)外围的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3),且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸,形成上大下小的引脚结构,引脚(2)正面延伸到后续贴装芯片的下方,在所述引脚(2)的正面设置有第一金属层(4),在所述引脚(2)的背面设置有第二金属层(5),在后续贴装芯片的下方的引脚(2)正面第一金属层(4)上通过锡金属的粘结物质(6)设置有芯片(7),在所述引脚(2)的上部以及芯片(7)外包封有填料塑封料(9),该有填料塑封料(9)将引脚(2)正面局部单元进行包覆。本实用新型芯片封装结构不会再有产生掉脚的问题。 【专利类型】实用新型 【申请人】江苏长电科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214434 江苏省江阴市开发区滨江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020517844.0 【申请日】2010-09-04 【申请年份】2010 【公开公告号】CN202003984U 【公开公告日】2011-10-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN202003984U 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/495; H01L21/48; H01L23/31 【发明人】王新潮; 梁志忠 【主权项内容】一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构,包括引脚(2)、无填料的塑封料(3)、锡金属的粘结物质(6)、芯片(7)有填料塑封料(9),在所述引脚(2)外围的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3),所述无填料的塑封料(3)将引脚下部外围以及引脚(2)下部与引脚(2)下部连接成一体,且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸,形成上大下小的引脚结构,其特征在于:所述引脚(2)正面延伸到后续贴装芯片的下方,在所述引脚(2)的正面设置有第一金属层(4),在所述引脚(2)的背面设置有第二金属层(5),在所述后续贴装芯片的下方的引脚(2)正面第一金属层(4)上通过锡金属的粘结物质(6)设置有芯片(7),在所述引脚(2)的上部以及芯片(7)外包封有填料塑封料(9),该有填料塑封料(9)将引脚(2)正面局部单元进行包覆。。 【当前权利人】江苏长电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市开发区滨江中路275号 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320200142248781B
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