【摘要】 本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括：提供一半导体基底；在半导体基底上制绒；对半导体基底进行扩散掺杂，在半导体基底正面形成扩散层，扩散层包括表层的高掺杂浓度层和内层的低掺杂浓度层；对扩散后的半导体基底进行去边处理；在扩散层表面形成与栅线对应的银浆电极，并在半导体基底底面形成背电极、背电场；在银浆电极表面电镀导电金属；以导电金属作为掩膜，刻蚀去除半导体基底正面暴露的高掺杂浓度层；在半导体基底正面沉积减反射膜；去除导电金属待电极焊接部分顶面上的减反射膜。通过在银浆电极上电镀导电金属，将导电金属作为去除高掺杂浓度层的掩膜，降低了对设备精准度的要求，提高了SE电池的生产成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】江阴浚鑫科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010510257.3 【申请日】2010-10-18 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102185005A 【公开公告日】2011-09-14 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】张忠; 钱明星 【主权项内容】一种选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上制绒；对所述半导体基底进行扩散掺杂，在半导体基底正面形成扩散层，所述扩散层包括表层的高掺杂浓度层和内层的低掺杂浓度层；对扩散后的半导体基底进行去边处理；在扩散层表面形成与栅线对应的银浆电极，并在半导体基底底面形成背电极、背电场；在银浆电极表面电镀导电金属；以导电金属作为掩膜，刻蚀去除半导体基底正面暴露的高掺杂浓度层；在半导体基底正面沉积减反射膜；去除导电金属待电极焊接部分顶面上的减反射膜。 【当前权利人】中建材浚鑫科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号 【引证次数】6.0 【被引证次数】14 【他引次数】6.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】14

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