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产生磁性偏置场的多层薄膜结构专利

时间:2026-06-19    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 (,) 本实用新型涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层;在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层;所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定;当种子层与保护层间设置硬磁层时,种子层与保护层的外周面上缠绕有电流导线,电流导线在通入电流时,能够对硬磁层产生的磁性偏置场进行校正。本实用新型能够在受到较大外磁场干扰,并在外磁场撤掉后,所产生的磁性偏置场可以恢复,从而使磁性传感器系统可以正常工作,且没有功耗方面的损失。 【专利类型】实用新型 【申请人】王建国; 薛松生 【申请人类型】个人 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区无锡微磁传感科技有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020217387.3 【申请日】2010-06-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201820566U 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201820566U 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01F10/10; H01F10/12 【发明人】王建国; 薛松生 【主权项内容】一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,包括:种子层;至少一层磁性被钉扎层,所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场;至少一层非磁性钉扎层,所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定。 【当前权利人】王建国; 薛松生 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区无锡微磁传感科技有限公司;

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