【摘要】 本发明提供了一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置，其可以让使能电路达到零静态功耗。其包括4个连接端口 : 电源Vdd，地Vss，输入Ven_in和输出Ven_out；M1～M6是PMOS晶体管，M7和M8是NMOS晶体管，INV1～INV4是反相器；Ven_in连接电阻R1和反相器INV1的输入端；INV1的电源连接到M2的漏极；INV1的输出端连接到M8的栅极和反相器INV2的输入端；INV2的电源连接到R1的另一端；INV2的输出端连接到M7的栅极和M1的漏极；M1的源极和M2的漏极以及电容Cbs的一端连接；M2的栅极和M3的漏极、M3和M4的栅极以及电容Cst的一端连接；M4和M5的漏极、M6的栅极以及M7的漏极连接；M5的栅极、M6和M8的漏极以及反相器INV3的输入端连接；INV3的输出端连接到INV4的输入端和M1的栅极；INV4的输出端就是Ven_out。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡更芯集成科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21-1号603 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010604631.6 【申请日】2010-12-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102156502A 【公开公告日】2011-08-17 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102156502B 【授权公告日】2013-04-10 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G05F1/625 【发明人】黄胜明; 张怀东 【主权项内容】1.一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置，其特征在于：其包括4个连接端口 : 电源Vdd，地Vss，输入Ven_in和输出Ven_out；M1、M2、M3、M4、M5、M6 是PMOS晶体管，M7和M8是NMOS晶体管，INV1、INV2、INV3、INV4是反相器；Ven_in连接电阻R1和反相器INV1的输入端；INV1的电源连接到M2的漏极；INV1的输出端连接到M8的栅极和反相器INV2的输入端；INV2的电源连接到R1的另一端；INV2的输出端连接到M7的栅极和M1的漏极；M1的源极和M2的漏极以及电容Cbs的一端连接在一起；M2的栅极和 M3的漏极、M3和M4的栅极以及电容Cst的一端连接在一起；M4和M5的漏极、M6的栅极以及M7的漏极连接在一起；M5的栅极、M6和M8的漏极以及反相器INV3的输入端连接在一起；INV3的输出端连接到INV4的输入端和M1的栅极；INV4的输出端就是Ven_out。 1.一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置，其特征在于：其包括4个连接端口 : 电源Vdd，地Vss，输入Ven_in和输出Ven_out；M1、M2、M3、M4、M5、M6 是PMOS晶体管，M7和M8是NMOS晶体管，INV1、INV2、INV3、INV4是反相器；Ven_in连接电阻R1和反相器INV1的输入端；INV1的电源连接到M2的漏极；INV1的输出端连接到M8的栅极和反相器INV2的输入端；INV2的电源连接到R1的另一端；INV2的输出端连接到M7的栅极和M1的漏极；M1的源极和M2的漏极以及电容Cbs的一端连接在一起；M2的栅极和 M3的漏极、M3和M4的栅极以及电容Cst的一端连接在一起；M4和M5的漏极、M6的栅极以及M7的漏极连接在一起；M5的栅极、M6和M8的漏极以及反相器INV3的输入端连接在一起；INV3的输出端连接到INV4的输入端和M1的栅极；INV4的输出端就是Ven_out。 【当前权利人】常州博拓电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区华山路18号3号楼503室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】5.0 【被引证次数】3 【他引次数】5.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1781821249.html