【摘要】 本发明涉及呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器，及其制备方法和应用，所说的该传感器通过金胶制备、金电极的预处理、1，4-苯二硫醇修饰金电极、单层纳米金胶的自组装和抗体的固定5个步骤而制得。其特征在于是将纳米金通过自组装方法固定于金电极表面，用来固定呋喃它酮残留物的单克隆抗体而构建得到。使用时，先建立阻抗的相对变化率%△Rct与AMOZ浓度的关系，再根据待测样品的阻抗相对变化率%△Rct就可确定其AMOZ浓度。采用本发明的传感器和检测方法具有快速简便的特点，解决当前呋喃它酮残留检测操作费时的缺陷。 【专利类型】发明申请 【申请人】扬州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】225009 江苏省扬州市大学南路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201010295008.7 【申请日】2010-10-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101957375A 【公开公告日】2011-01-26 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101957375B 【授权公告日】2013-03-20 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G01N33/558; G01N27/02; G01N27/30 【发明人】金文杰; 杨功俊; 秦爱建; 吴丽萍; 王倩倩; 邵红霞; 钱琨; 余兵; 李东明; 蔡宝亮 【主权项内容】一种呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器，其特征在于是通过以下方法制备得到：(1)金胶的制备：制备金纳米粒子溶液；(2)金电极的预处理：金电极先分别用0.3，0.05μm的三氧化二铝粉末在丝绸上抛光，然后依次用二次水和无水乙醇超声清洗；再将抛光处理好的金电极置于0.5M H2SO4溶液中，在‑0.5到+1.4V范围内进行循环伏安扫描25圈，扫速为0.1V s‑1；然后将电极在氮氛下干燥；(3)1，4‑苯二硫醇修饰金电极：将预处理好的金电极浸入15 mM的1，4‑苯二硫醇的无水乙醇溶液中，4oC下放置10 min，然后用无水乙醇冲洗表面，然后在氮氛下干燥；(4)单层纳米金胶的自组装：将自组装了1，4‑苯二硫醇的金电极浸入金胶溶液中，放在暗处置于室温下5h后，取出后用二次水冲洗表面；(5)抗体的固定：将纳米金修饰电极浸入含0.030 mg/mL AMOZ抗体的磷酸缓冲溶液(pH7.0)中，于4°C下放置12 h；电极取出后再放入10.0 mg/mL的牛血清蛋白中，置于37.5oC水浴中1小时，以封闭非特异性位点；最后再将电极取出后用二次水冲洗以除去表面多余的牛血清蛋白；即制得呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器。 【当前权利人】扬州大学 【当前专利权人地址】江苏省扬州市大学南路88号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12320000466007837W 【引证次数】11.0 【被引证次数】7 【自引次数】2.0 【他引次数】9.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】7

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