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逆变晶闸管芯片专利

时间:2026-06-13    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 逆变晶闸管芯片,包括依次层叠的钼基片、阳极、长基区和短基区,其放大门极(1)、门极(2)和阴极(3)设置在所述短基区的上表面,其中,所述放大门极布置成渐开线形式。本实用新型的逆变晶闸管芯片的放大门极采用渐开线布置形式,其开通均匀、开通时间短、di/dt高并具有良好的di/dt承受能力,产品性能优越。经过检测,本实用新型逆变晶闸管芯片的di/dt高,可达到1000A/μs,工作频率可达到5000HZ,并且产品的一致性良好。此外,本实用新型的逆变晶闸管芯片结构简单,成本低廉,便于大规模生产,生产效率高。 【专利类型】实用新型 【申请人】润奥电子(扬州)制造有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225006 江苏省扬州市广陵区创业园B2幢一楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201020644583.9 【申请日】2010-11-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201910424U 【公开公告日】2011-07-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201910424U 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/423 【发明人】徐爱民; 顾标琴 【主权项内容】逆变晶闸管芯片,包括依次层叠的钼基片(8)、阳极(7)、长基区(6)和短基区(5),该逆变晶闸管芯片的放大门极(1)、门极(2)和阴极(3)设置在所述短基区(5)的上表面,其特征是,所述放大门极(1)布置成渐开线形式。 【当前权利人】润奥电子(扬州)制造有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市广陵区创业园B2幢一楼 【专利权人类型】有限责任公司 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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