【摘要】 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是一种薄膜的生长方法，主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入氧化炉进行氧化工艺，对氧化膜进行退火处理，然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快，质量高，钝化性能优越；硅片在低温下进出炉管，氧化膜应力小，缺陷少；本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行，产量高。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620327.0 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102154708A 【公开公告日】2011-08-17 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102154708B 【授权公告日】2012-06-06 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C30B33/00; H01L31/18 【发明人】刘亚锋 【主权项内容】一种太阳能电池薄膜的生长方法，其特征是：具有以下步骤，a)将经过常规表面处理的硅片在低温下送入氧化炉管；b)将炉管升温至800～1000℃，同时通入氮气，氮气流量为2～20升/分钟；c)待温度稳定后，关闭N2气，通入氧气，氧气流量2～20升/分钟，1～3分钟后，通入TCA(三羧酸循环)或DCE(CH2Cl2)气体，气体流量0.2～2升/分钟，同时通入水蒸气H2O，气体流量0.5～5升/分钟，通氧3～100分钟，生长不同厚度的氧化膜；d)关闭TCA或DCE气体，并关闭水蒸气，持续通氧气1～5分钟，氧气流量2～20升/分钟；e)关闭氧气，通入氮气，气体流量2～20升/分钟，氮气在高温下会带走氧化膜中的水分；f)降温至300～500℃，通入氢氮合成气体进行退火，气体流量1～10升/分钟，时间5～30分钟；g)关闭合成气体，通入N2吹扫，N2流量5～10升/分钟，时间2～10分钟；h)硅片出炉，进行电池的后续工艺。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【被引证次数】16 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】16.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】16

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