【摘要】 本发明涉及一种坩埚的喷涂工艺，包括以下步骤：1)在喷涂加热设备的一个底面和四个侧面分别使用独立的加热控制器和限温控制器，调整出不同的升温曲线，保持喷涂过程中坩埚的恒温；2)对坩埚的一个底面和四个侧面使用不同的喷涂工艺，在喷涂的一个循环中，坩埚的底面只喷涂一遍，坩埚的每个侧面均喷涂两遍。本发明结合分析现多晶喷涂设备的差异性，硅料熔化及长晶对涂层的影响，完全改变现国内外的喷涂设备加热方式和喷涂工艺，从根本上解决了长久以来DSS450晶锭合格率低于DSS240，晶锭裂纹比例高于DSS240等问题，同时为硅片开方产能的提高打下了基础。。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238294.3 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101972737A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101972737B 【授权公告日】2013-05-15 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】B05D1/02; B05C9/14 【发明人】赵军; 朱海涛; 周基江; 贺洁 【主权项内容】一种坩埚的喷涂工艺，其特征在于包括以下步骤：1)在喷涂加热设备的一个底面和四个侧面分别使用独立的加热控制器和限温控制器，调整出不同的升温曲线，保持喷涂过程中坩埚的恒温；2)对坩埚的一个底面和四个侧面使用不同的喷涂工艺，在喷涂的一个循环中，坩埚的底面只喷涂一遍，坩埚的每个侧面均喷涂两遍。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

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