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晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺专利

时间:2026-06-04    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽体中硅片完成制绒;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。本发明非常现实地提出了一种单面的腐蚀方法,可以很有效地降低传统的腐蚀重量,从而增加了硅片在整个制程中的厚度,降低了整道的破片率。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238289.2 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976705A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976705B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】吴剑峰 【主权项内容】一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,其特征在于包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽放置HNO3,HF,H2SO4以及水的混合液,体积比例为6∶1∶4,温度为4℃‑10℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度随着滚轮漂过第一个槽,反应时间为2~3分钟,在第一个槽体中硅片完成制绒,表面损伤层被均匀地腐蚀掉一层,并且表面单面形成如蜂窝状的酸制绒绒面,绒面大小均匀,尺寸为3~7微米之间,经过该槽后硅片被腐蚀掉的一面出现暗黄色的多孔硅;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,浓度为3%‑5%,温度为15℃~25℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽,作用时间为1~2分钟;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,浓度分别为5%和7%,温度为常温,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,作用时间为1~2分钟,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【被引证次数】12 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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