【摘要】 本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种背钝化电池的制造方法。其工艺步骤为：先将P型单晶硅片清洗制绒；再进行B扩散；然后放入氧化炉中生长湿氧；再用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀，然后用离子水加超声清洗硅片；对硅片进行P扩散；等离子边缘刻蚀；用HF溶液清洗；再放入氧化炉生长薄干氧；再对硅片正面沉积氮化硅，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝；最后电极印刷，烧结。本发明同时采用了正背面叠层钝化，同时背面采用B扩散，具备了优越的正面钝化及背面钝化性能，使电池在长波段具有很好的光电响应，而且背面叠层钝化具有很好的反射作用，能使到达背面的光子再次反射回电池片更充分的利用。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238244.5 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976701A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976701B 【授权公告日】2012-10-17 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】刘亚锋 【主权项内容】一种背钝化电池的制造方法，其特征是：工艺步骤为：a.将电阻率为0.2～10Ωcm的P型单晶硅片，经过常规清洗后进行酸制绒或碱制绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，B扩散的温度为870℃～970℃，方阻为40～100Ω；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的SiO2膜厚度为50～200nm，氧化温度为850℃～1000℃；d.用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀5～30分钟，刻蚀掉SiO2及B扩散结部分的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，P扩散的温度为800℃～900℃，方阻为40～70Ω；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为2％～15％的HF清洗1～10分钟，去除正面PSG及背面SiO2部分；h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为5～20nm，氧化温度为700～820℃；i.硅片正面沉积氮化硅进行叠层钝化，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝进行叠层钝化；j.电极印刷，烧结。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】7.0 【被引证次数】16 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】16

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1780518508.html