【摘要】 本发明涉及一种太阳能电池制作方法，该方法是在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH4的气体比例逐渐由1∶0.370降低至1∶0.176，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。新的PECVD薄膜能够将电池的反射率大幅降低为原有的60％，在此基础上，成品电池片在原有效率上提高∽0.1％，相应的电池组件功率提升1∽2W(60P).整个新生产过程未增加任何附加成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620103.X 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102130212A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102130212B 【授权公告日】2012-10-03 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18; C23C16/44; C23C16/34 【发明人】张瞩君; 陈红 【主权项内容】一种太阳能电池制作方法，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，其特征是：镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH4的气体比例逐渐由1∶0.370降低至1∶0.176，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】3.0 【被引证次数】6 【他引次数】3.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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