【摘要】一种投光灯角度调控装置，包括电器固定旋转底座(1)和光源固定旋转底座(3)，电器固定旋转底座(1)上具有左中空轴(1-1)，该左中空轴(1-1)的开口端设置有内齿轮(1-2)，光源固定旋转底座(3)上具有右中空轴(3-1)，该右中空
【摘要】 本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，或者，重扩散后直接在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，刻蚀时间20min～120min，硅片重扩散的温度为800℃～1000℃，扩散后方阻为10ohm/sq～50ohm/sq。刻蚀Si的刻蚀性浆料含有1％～50％的氟化氢胺。本发明的方法在刻蚀过程中可以去掉场区的一部分损伤层，有利于提高电池的效率，并且形成的轻掺杂区域的方阻均匀性好，表面浓度较低，有利于选择性发射结电池的效率的提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010263642.2 【申请日】2010-08-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101937941A 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101937941B 【授权公告日】2012-07-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/042; H01L31/0352; H01L31/068 【发明人】邓伟伟; 金浩; 刘亚峰 【主权项内容】一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散后的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀浆料，刻蚀时间为20min～120min，硅片表面形成重掺杂区和轻掺杂区。 ： 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【被引证次数】5 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
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