【摘要】 本发明涉及一种背面钝化的太阳能电池的生产方法。它具有如下步骤：清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散，去正面二氧化硅保留背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、印刷正负电极以及烧结和电性能测试；或者清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散，去背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、背面沉积氮化硅，腐蚀出背电极以及烧结和电性能测试。该工艺简单，成本较低，可控性和稳定性好，背面钝化之后，大大降低了背面的复合速率，背面的发射率高，提高了电压电流及电池的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010152175.6 【申请日】2010-04-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101958364A 【公开公告日】2011-01-26 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101958364B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】邓伟伟; 刘亚锋 【主权项内容】一种背面钝化的太阳能电池的生产方法，其特征是具有如下步骤：a.将硅片清洗制绒；b.在硅片上生长一层二氧化硅薄膜；c.在硅片正面腐蚀出正电极的形状后，在硅片正面进行选择性扩散形成选择性发射结；d.腐蚀掉硅片正面的二氧化硅薄膜，再用氢氟酸清洗；e.对硅片进行去边，再用氢氟酸去掉硅片正面的磷硅玻璃，保留硅片背面的二氧化硅作为钝化层；f.在硅片背面腐蚀出背面电极的形状，再用氢氟酸清洗；g.然后在硅片正面电极和背面电极印刷浆料，最后进行烧结和电性能测试。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4

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