【摘要】 本发明涉及印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺，将硅片清洗制绒之后进行丝网印刷含磷的纳米Si浆料，在200～350℃下烘干约20分钟，脱除溶剂后，得到的含磷的氧化层的厚度为30～100纳米；扩散前实施BOE和RCA清洗去除70％的表面磷浆；将硅片放入扩散炉中，加入POCL3气源，加热到800～1000℃的温度范围，硅片在含磷的纳米浆料的栅线地方形成重扩散，形成较高表面浓度的重掺杂区，在其他区域形成浅扩散区。本发明采用丝网印刷含磷的纳米浆料，通过高温加热进行扩散，在与栅线接触位置形成重掺，在其它区域进行轻掺。在扩散均匀性控制较好的前提下，效率可达18.5％以上。。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010263627.8 【申请日】2010-08-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101937940A 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101937940B 【授权公告日】2012-11-14 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】冯志强; 邓伟伟 【主权项内容】印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺，其特征在于：将硅片清洗制绒之后进行丝网印刷含磷的纳米浆料，在200～350℃下烘干约20分钟，脱除溶剂后，得到的含磷的氧化层的厚度为30～100纳米；扩散前实施BOE和RCA清洗去除70％的表面磷浆；将硅片放入扩散炉中，加入POCL3气源，加热到800～1000℃的温度范围，硅片在含磷的纳米浆料的栅线地方形成重扩散，形成较高表面浓度的重掺杂区，在其他区域形成浅扩散区。 ： 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】4.0 【被引证次数】24 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】24.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】24

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