【摘要】 本发明涉及太阳能晶体硅电池PN结的精细制造工艺并提出了一种新型的电池结构，其工艺步骤：硅片清洗制绒、扩散、HF溶液酸洗并去除硅片表面的氧化膜；制备氮化硅掩膜；将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO3、H2SO4的混合溶液中，去除硅片边缘的N型层；利用氮化硅掩膜的作用进行选择性地腐蚀；对晶体硅太阳能电池进行后处理过程，在硅片表面进行PECVD镀膜、印刷、烧结并测试，形成一片完整的电池。本发明的工艺制备发射极太阳能电池，可以实现发射极有选择性的轻重掺的结果，成本低，工艺简单，适合大规模生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238251.5 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976702A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976702B 【授权公告日】2013-03-06 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/042; H01L31/0352; H01L31/068 【发明人】陆银川 【主权项内容】一种选择性发射极太阳能电池的制造工艺，其工艺步骤为：一、对晶体硅太阳能电池进行扩散：将硅片清洗制绒，通过气流比和温度的控制对硅片进行POCL3气体的扩散，再将硅片放入5％的HF溶液中进行浸泡，去除硅片表面的氧化膜；二、对晶体硅太阳能电池的发射极掩膜进行制备：准备好与发射极网板相匹配的掩膜板，并固定到PECVD机台石墨框上，进行PECVD镀膜，对需要镀膜的地方镀上膜厚和折射率都合理的氮化硅膜；三、对完成上述2个工序的晶体硅太阳能电池进行选择性腐蚀：将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO3、H2SO4的混合溶液中，去除硅片四周的N型层，使得太阳能电池P型层和N型层相对绝缘，再用常温下的低浓度碱或者氨水和双氧水的混合液对硅片的表面进行清洗，选择性地微腐蚀掉表面的发射极，然后通过5％的HF漂洗硅片，去除硅片表面氧化硅掩膜的残留；四、对完成上述3个工序的晶体硅太阳能电池的后处理过程：在硅片表面进行PECVD镀膜，然后进行印刷、烧结并进行测试，形成完整的电池。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】6.0 【被引证次数】18 【自引次数】2.0 【他引次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】18

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