【摘要】 本发明公开一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，特别是生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅低介电常数材料的工艺技术中，采用氢氟酸替换现有技术的盐酸作为催化剂。本发明不但继续保留了溶胶-凝胶法的优势，而且在薄膜制备过程中直接引入氟离子，从而使含氟纳米多孔二氧化硅薄膜材料的微结构和化学键合状态得到很大改善，进一步降低了薄膜的介电常数，并使多孔二氧化硅/硅材料系统的界面电荷态和漏电流性能大为改善。 【专利类型】发明申请 【申请人】兰州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】730000甘肃省兰州市天水路222号 【申请人地区】中国 【申请人城市】兰州市 【申请人区县】城关区 【申请号】CN200410010504.8 【申请日】2004-12-27 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100372077C 【公开公告日】2008-02-27 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100372077C 【授权公告日】2008-02-27 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/469; C01B33/14 【发明人】何志巍; 刘雪芹; 王印月 【主权项内容】1.一种用溶胶-凝胶法制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，采用氢氟酸 作为催化剂，其特征在于将正硅酸乙酯、乙醇、水和氢氟酸以1∶15∶1～10∶ 0.01～0.05摩尔比例混合，再将混合后的溶液充分搅拌使其完全水解制成标准 溶液，静置形成溶胶，待溶胶粘度达到10厘泊时，再将此溶胶旋转涂敷在硅片 上，经陈化一段时间后，再用正己烷充分清洗硅片，干燥后将涂有溶胶的硅片 置于温度低于60℃的三甲基氯硅烷和正己烷的混合溶液中进行改性，最后在氮 气气氛下进行退火处理。 微信 【当前权利人】兰州大学 【当前专利权人地址】甘肃省兰州市天水路222号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000438001702R 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4.0

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