【摘要】 磁场诱导取向沉积方法制备磁性纳米间隙电极，涉及一种纳米结构、纳米器件的加工技术。该方法通过磁性金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿者电极对方向的磁场同步诱导取向生长，在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙减小到纳米级，实现磁性纳米间隙电极的简便低廉加工。制备的方法如下：首先，用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极；在原型电极表面组装双功能分子、键合引发剂，使电极表面具有催化活性；将具有催化活性的原型电极放入磁性金属或合金的化学镀溶液中，同时沿着原型电极对方向上施加一个外磁场，同步诱导磁性金属或合金在电极对尖端处优先沉积与取向生长，获得磁性纳米间隙电极。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】江宁区 【申请号】CN200410065951.3 【申请日】2004-12-28 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100418874C 【公开公告日】2008-09-17 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100418874C 【授权公告日】2008-09-17 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】B82B3/00; H01L21/288; H01L21/445 【发明人】徐丽娜; 顾宁; 解胜利; 黄岚 【主权项内容】1.？一种磁场诱导沉积方法制备磁性纳米间隙电极的方法，其特征在于该 方法将选择性化学沉积与磁场诱导相结合，沿着电极对的方向施加一个外磁场， 通过金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导 取向生长，在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙减小 到纳米级，加工出磁性纳米间隙电极； 制备的工艺如下： a.用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极对； b.在原型电极对表面组装双功能分子“X-R-Y”、化学吸附化学镀引发剂， 使电极对表面具有催化活性； c.将具有催化活性的原型电极对放入化学镀溶液中，同时沿着原型电极对 的方向上施加一个外磁场，同步诱导金属在原型电极对尖端处优先沉积与取向 生长，从而实现电极间隙的减小，获得磁性纳米间隙电极； 双功能分子“X-R-Y”对于硅基材料没有反应活性，其中“X”为可与原型 电极金属材料自发进行分子组装的官能团，“Y”为可与化学镀引发剂键合的活 性基团，R为有机分子骨架；原型电极对指以硅基材料为基材，用普通光刻工 艺加工出的具有微米或亚微米间隙的双极电极结构，电极材料为金、银、铜、 铂材料。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】6.0 【自引次数】2.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0

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