【摘要】 本发明提出了一种多功能的真空镀膜组态工艺控制方法，其将真空镀膜工艺流程划分为九个“过程”，可根据工件的质量要求来安排工艺，在同一套设备上，九种过程可以有多种组合，可以完成蒸发镀铝，也可以在镀铝完成后再镀氧化硅或者氟化镁，实现一机多用之功效；同时将九个过程进行编码，并由计算机编程实现自动控制，操作人员只需用键盘选择工艺过程即可，十分方便。 【专利类型】发明申请 【申请人】兰州大成自动化工程有限公司; 兰州交通大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】730070甘肃省兰州市安宁区安宁西路118号508信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】兰州市 【申请人区县】安宁区 【申请号】CN200410082390.8 【申请日】2004-12-31 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100436641C 【公开公告日】2008-11-26 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100436641C 【授权公告日】2008-11-26 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】C23C14/54; C23C14/24 【发明人】范多旺; 邓志杰; 魏宗寿; 解武波; 魏文军; 范多进; 孔令刚; 王汉安 【主权项内容】1、一种真空镀膜组态工艺控制方法，包括以下九个完全独立的工艺过程， 且各工艺过程按次序进行组合，并由计算机编程控制执行：预热过程、预真空 过程、离子清洗过程、镀铝过程、离子轰击过程、镀氧化硅过程、镀氟化镁过 程、充气开门过程、设备关闭过程；所述预热过程为：过程开始→检查水、气 正常后开维持泵→开加热罐电源→开低真空计电源→开扩散泵加热电源→开 机械泵→开罗茨泵→过程结束；所述预真空过程为：过程开始→开低真空计电 源→关充气阀→开预抽阀→真空度10Pa时关预抽阀→开前级阀→开高真空阀 →过程结束；所述离子清洗过程为：过程开始→开充氮气阀→开变频器调转速 为4转/分→开轰击源→关充氮气阀→关变频器电源→过程结束；所述镀铝过 程为：过程开始→开高真空计→开变频器并调转速为12转/分→开镀铝电源→ 关镀铝电源→过程结束；所述离子轰击过程为：过程开始→关高真空阀→关高 真空计→关前级阀→开予抽阀→开充硅油阀→开变频器调转速为4转/分→开 轰击源→关轰击源→关充硅油阀→关予抽阀→开前级阀→开高真空阀→过程 结束；所述镀氧化硅过程为：过程开始→开高真空计→开测厚仪→开变频器调 转速为4转/分→开充水阀→开氧化硅蒸发电源→关氧化硅蒸发电源→关充水 阀→过程结束；所述镀氟化镁过程为：过程开始→开高真空计→开变频器调转 速为4转/分→开氟化镁蒸发电源→关氟化镁蒸发源→过程结束；所述充气开 门过程为：过程开始→关高真空阀→关前级阀→关预抽阀→关变频器→开充大 气阀→过程结束；所述设备关闭过程为：过程开始→关高真空阀→关充大气阀 →关扩散泵电源→关前级阀→关罗茨泵→关机械泵→关变频器→关维持泵→ 关总电源→过程结束。 【当前权利人】兰州大成科技股份有限公司 【当前专利权人地址】甘肃省兰州市兰州新区中川街西段4200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12620000438140606L 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3.0

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