【摘要】 一种降低在蚀刻氮化物层时在开口轮廓产生微 负载的方法。此方法包括：首先提供一基底，在其上形成氮化 物层。其次在氮化物层上形成光致抗蚀剂层，利用已限定的图 案，对光致抗蚀剂层曝光显影。在反应离子蚀刻反应器中，以 氧气与氩气为等离子气体，对光致抗蚀剂层进行等离子预处理 步骤，使光致抗蚀剂层缩减。以光致抗蚀剂层为掩模，对氮化 物层蚀刻。本发明对光致抗蚀剂层进行等离子预处理步骤，以 降低微负载效应的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98119218.1 【申请日】1998-09-09 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239818A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1103493C 【授权公告日】2003-03-19 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/02; H01L21/302 【发明人】朱新萍 【主权项内容】1.一种降低在蚀刻氮化物时产生微负载的方法，包括下列步骤： 提供一基底； 在该基底上，沉积一氮化物层； 在该氮化物层上，沉积一光致抗蚀剂层； 利用一已限定的图案，对该光致抗蚀剂层进行曝光及显影； 进行一等离子预处理，在一反应离子蚀刻反应器中，以氧气及氩气作为 等离子气体，对该光致抗蚀剂层进行等离子预处理，使该光致抗蚀剂层产生 缩减；以及 以该光致抗蚀剂层为一掩模，对该氮化物层进行蚀刻。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】8.0 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8.0

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