【摘要】本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的 制造工艺,具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的 硅即SOl材料制备方法,系利用离子束合成或Al膜氮化的方 法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜,并与、氢氦离子 注入、硅片键合和智能
【摘要】 1.省略其它视图。 2.请求保护色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】上海斯米克建筑陶瓷有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201112上海市闵行区杜行镇谈家港 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN98329164.0 【申请日】1998-12-28 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3119981D 【公开公告日】1999-09-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3119981D 【授权公告日】1999-09-01 【授权公告年份】1999.0 【发明人】李慈雄 【主权项内容】无 【当前权利人】上海斯米克建筑陶瓷有限公司 【当前专利权人地址】上海市闵行区杜行镇谈家港 【专利权人类型】外商投资企业 【统一社会信用代码】9131011259043190XE
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