【摘要】 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的 制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的 硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方 法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子 注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以用AlN为绝 缘埋层的SOl结构，这种SOl材料的导热性能优于常规的以SiO2 为绝缘埋层的SOl，更加适应高温、大功率SOl电路的需要。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海冶金研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN98122067.3 【申请日】1998-12-04 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1227400A 【公开公告日】1999-09-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1088541C 【授权公告日】2002-07-31 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3215; H01L21/265; H01L21/302; H01L21/02; H01L21/20 【发明人】林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中 【主权项内容】1、一种绝缘体上的硅即SOI材料的制备方法，用Al膜中注入高剂量 N+与后退火处理或Al膜高温氮化方法制备AlN薄膜，结合硅中H+、He+双 注入，并与AlN薄膜低温键合、智能剥离工艺，形成以AlN为绝缘埋层的 Si/AlN/Si结构的SOI材料。 【当前权利人】上海新傲科技有限公司 【当前专利权人地址】上海市嘉定区普惠路200号 【被引证次数】10.0 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】10.0

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