【摘要】 本实用新型涉及一种改进超声波熔接结构的指 拨开关，其主要是由上盖板、指拨开关本体及推钮等构件组成， 借上盖板四周的接触凸缘与指拨开关本体上半部四周顶缘呈 阶梯状的卡合凸缘紧密靠接后，以超声波振荡熔接方式迅速改 变接触凸缘材质内分子结构，该指拨开关本体内侧已形成止挡 状态，其接触凸缘熔接材质只能向指拨开关本体外侧溢漏，从 而减少了产品的次品率并因其结构的改进而提高产品的精确 性。 该数据由<>整理 【专利类型】实用新型 【申请人】总督电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台南县永康市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98241238.X 【申请日】1998-10-12 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2354227Y 【公开公告日】1999-12-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2354227Y 【授权公告日】1999-12-15 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01H15/00 【发明人】刘明璋; 宋茂炎 【主权项内容】1、一种改进超声波熔接结构的指拨开关，该指拨开关(31)主要 是由上盖板(32)、指拨开关本体(33)及推钮(34)构件所组成， 其特征是： 上盖板(32)呈一长矩形板片，该上盖板(32)中央均布凹设数 道槽道(321)，该槽道(321)左、右二侧为倾斜面设置；再者，该 上盖板(32)的周缘是呈阶梯状，于上盖板(32)四周凸设呈尖锥状 凸条的接触凸缘(322)，该接触凸缘(322)是凸设于上盖板(32) 四周靠近外侧； 指拨开关本体(33)，呈一长矩形框体，该指拨开关本体(33) 上半部中空凹陷一容置空间，且于指拨开关本体(33)上半部四周顶缘， 设阶梯状的卡合凸缘(331)； 借数个推钮(34)容置排列于指拨开关本体(33)上半部中空凹 陷的容置空间内，再将上盖板(32)盖合于指拨开关本体(33)上， 使上盖板(32)四周凸设呈尖锥状凸条的接触凸缘(322)，靠接于指 拨开关本体(33)上半部四周顶缘呈阶梯状的卡合凸缘(331)上，再 以超声波振荡熔接方式，将上盖板(32)四周的接触凸缘(322)，迅 速改变材质内分子结构，使其与指拨开关本体(33)上半部四周的卡合 凸缘(331)相互结合成一整体；借上盖板(32)四周的接触凸缘(322) 与指拨开关本体(33)上半部四周顶缘呈阶梯状的卡合凸缘(331)紧 密靠接后，该指拨开关本体(33)内侧已形成止挡状态，其接触凸缘 (322)熔接材质只能向指拨开关本体(33)外侧溢漏(36)。 【当前权利人】总督电子股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台南县永康市 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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