【摘要】注拉吹二次成型塑料瓶坯预热器, 特征是由保温 桶和桶顶部盖板构成预热室, 预热室内强制流动有作为导热介 质的热气体, 在桶顶部盖板上均匀开设管坯放置孔, 孔中设置用 以将管坯悬挂在预热室中的管坯颈夹套。本实用新型以强制流 动的热气体
【摘要】 本发明是一种以离子注入技术提高红外探测器 热释电响应的方法, 属于集成铁电制造工艺。系采用He离子注 入结合热处理在红外探测器下面的硅衬底中产生一空腔层, 减 少热释电材料所吸收的热量向硅衬底扩散, 从而提高热释电红 外探测器的响应度。同时采用脉冲激光沉积技术在有空腔层Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积与铁电薄膜晶格相匹配的子晶层, 采用金属有机热分解法制备出高热释电系数、织构的铁电薄膜。本方法工艺简单, 均匀性与重复性好, 并与常规的集成电路工艺相容。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海冶金研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN98122069.X 【申请日】1998-12-04 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1234614A 【公开公告日】1999-11-10 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1111912C 【授权公告日】2003-06-18 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L31/00; H01L31/101 【发明人】宋志棠; 张苗; 林成鲁 【主权项内容】1、一种提高热释电红外探测器响应的方法，在 制作红外探测器用的Si衬底中，采用He离子注入、 高温热处理和热氧化，形成SiO2层和SiO2空腔层。形 成条件为采用常规的离子注入机，其He离子注入的 能量为20-170keV，剂量为(1-9)×1017/cm2，热处理温度为 700-1100℃，在氮气保护下保温1-2小时，热氧化是在 1000-1100℃下湿氧氧化，然后，采用脉冲激光在上述有 空腔层的Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积子晶层，沉积时激 光能量控制在140-160mJ，衬底温度控制在650-750℃， 再采用金属有机物热分解法，制备出厚度为织构 的铁电薄膜。 【当前权利人】中国科学院上海冶金研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4.0
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