【摘要】本发明涉及一种抗菌羟基磷灰石镀层的制备方 法, 该方法首先是在清洗过的样品表面溅射沉积羟基磷灰石镀 层, 然后将镀完膜的样品放在浓度为20—100ppm的AgNO3溶液中, 室温下浸泡24—48小时, 即为具有抗菌羟基磷灰石镀层的样
【摘要】 本实用新型涉及一种温室水培装置，包括一个上 加浮板的深水栽培池，该栽培池通过给液管与配液池连通，在 栽培池与配液池之间的给液管上安装有磁化装置和紫外光照 射装置，配液池内安装有一潜水泵与给液管连通，栽培池的底 部通过回水管路与配液池的底部连通。本实用新型能充分利用 种植空间，适用较大范围的农作物，能够自我净化并能实现连 续生产，从而大大提高水培作物种植效率。 【专利类型】实用新型 【申请人】北京市大地科技实业总公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100039北京市海淀区四季青乡廖公庄锦绣大地农业股份有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98249091.7 【申请日】1998-11-27 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2353144Y 【公开公告日】1999-12-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2353144Y 【授权公告日】1999-12-15 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】A01G31/02 【发明人】李荣旗 【主权项内容】1．一种深池浮板水培装置，其特征在于包括一个上加浮板的深水栽培池(1)，所述栽 培池(1)通过给液管(2)与配液池(3)连通，在栽培池(1)与配液池(3)之间的给液管(2) 上安装有磁化装置(4)和紫外光照射装置(5)，配液池(3)内安装有一潜水泵(6)与给 液管(2)连通，栽培池(1)的底部设有回水孔(7)，该回水孔(7)通过回水管路(11)与配 液池(3)的底部连通。 【当前权利人】无 【专利权人类型】集体所有制 【统一社会信用代码】91110108101940990B 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0
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