【摘要】 本发明涉及一种抗菌羟基磷灰石镀层的制备方 法, 该方法首先是在清洗过的样品表面溅射沉积羟基磷灰石镀 层, 然后将镀完膜的样品放在浓度为20—100ppm的AgNO3溶液中, 室温下浸泡24—48小时, 即为具有抗菌羟基磷灰石镀层的样品。本发明制备的样品, 其杀菌率在24小时内达100%, 对巨噬细胞、成骨细胞等无毒副作用, 具有良好的生物相容性。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98120506.2 【申请日】1998-10-16 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1213644A 【公开公告日】1999-04-14 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1059874C 【授权公告日】2000-12-27 【授权公告年份】2000.0 【IPC分类号】C01B25/32; A61L27/00; C01B25/00; C23C14/06 【发明人】冯庆玲; 金泽男; 崔福斋; 吴璟; 赵锴 【主权项内容】1、一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法， 其特征在于该方法包括下列各步骤： (1)清洗：电流为30～60mA，用能量为0.8～1.2KeV的Ar离子束 轰击基底样品表面，轰击时间为10～15分钟，本底压强为5×10-6乇，工作 过程中，保持水蒸汽分压为0～2×10-4乇，工作压强为0.5～2.5×10-4乇； (2)制作界面：以50％的羟基磷灰石烧结陶瓷靶为溅射靶，用电流 为20～60mA，能量为0.3～3.5KeV的离子束轰击，在基底样品表面溅射 成膜，同时以电流为1～3mA，能量为24～30KeV的高能Ar离子束轰击 基底样品表面，溅射时间为10～30分钟； (3)沉积生长：上述第二步的溅射过程继续进行，用电流为40～ 100mA、能量为3～3.5KeV的离子束轰击，继续溅射成膜，同时以电流为 5～20mA，能量为0.5～400eV的低能Ar离子轰击，溅射时间为1～5小 时： (4)镀膜后1小时，将上述第三步的膜样品从真空中取出，加热至 380℃～420℃，在湿度为大于70％的潮湿空气中退火0～4小时，即可得 到具备羟基磷灰石镀层的样品； 其特征在于还包括： (5)将上述镀完膜的样品放在浓度为20-100ppm的AgNO3溶液中， 室温下浸泡24-48小时，即为具有抗菌羟基磷灰石镀层的样品。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】2.0 【被引证次数】9.0 【自引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】9.0

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