【摘要】本发明属单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜的类P -N结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压, 六角氮化硼作 源加射频功率, 氩气作工作气体, 在衬底上沉积c-BN薄膜, 二者 间形成类P-N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明 在形
【专利类型】外观设计 【申请人】长春市第二酿造厂 【申请人类型】企业 【申请人地址】130011吉林省长春市泰来街10号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】绿园区 【申请号】CN98306515.2 【申请日】1998-03-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3100533D 【公开公告日】1999-01-27 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3100533D 【授权公告日】1999-01-27 【授权公告年份】1999.0 【发明人】王俐 【主权项内容】无 【当前权利人】吉林省北康酿造食品有限公司 【专利权人类型】有限责任公司分公司(国有独资)
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