【摘要】 外差式声光频谱仪芯片的制备方法, 它克服了光 栅发散透镜制备技术难度大的缺点。首先在LiNbO3衬底上超精加工两个非球面短程透镜凹面, 再进行精密抛光、超声清洗、高频溅射、高温扩散, 制成Ti－LiNbO3波导, 光刻换能器铝电极, 再把半导体激光器和二极管阵列分别对接在波导的两个端面, 该制备方法简单, 探测容易, 性能良好。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院长春物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130021吉林省长春市延安大路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN97125630.6 【申请日】1998-05-06 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1234332A 【公开公告日】1999-11-10 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】B29D11/00 【发明人】范俊清; 许承杰; 李也凡 【主权项内容】1、外差式声光频谱仪芯片的制备方法，其特征在于集成光学IOAOSA芯片的制 备方法是： (1)首先在LiNbO3村底上，用单点金刚石超精切削机床超精加工两个非球面短 程透镜凹面，再对凹面进行精密抛光，超声清洗； (2)在透镜表面高频溅射的Ti膜，制成Ti-LiNbO3波导，然后对波导两个端面 精密抛光； (3)用等离子蚀刻法干法光刻换能器铝电极； (4)把半导体激光器和二极管阵列分别对接在波导的两个端面。 ： 【当前权利人】中国科学院长春物理研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市延安大路1号 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4.0

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