【摘要】 本发明高压快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸耐压不够高的问题。它的主要特征是：包括管壳下封接件、定位环、半导体芯片、垫片、门极组件、上封接件，硅片包括PNPN三端结构，分为阳极区P1、长基区N1、短基区P2和阴极区N2，三端分别为阳极A、阴极K和门极G，在阳极区P1表面增设阳极区P+，使硅片为P+PNPN三端结构；所述的阴极区N2为均匀分布有旋转环绕门极G的区域，门极G为与阴极区N2对应的渐开线指条。本发明具有能明显提高器件的耐压、保持原设计晶闸管的开通时间不变、并降低通态压降、改善器件的阻断电压水平和通态能力的特点，主要应用于大功率变流电源、串联逆变电源装置。 【专利类型】发明申请 【申请人】湖北台基半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】441021 湖北省襄樊市襄城区胜利街162号 【申请人地区】中国 【申请人城市】襄阳市 【申请人区县】襄城区 【申请号】CN201210232183.0 【申请日】2012-07-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103531622A 【公开公告日】2014-01-22 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/06; H01L29/08; H01L21/332 【发明人】张桥; 颜家圣; 吴拥军; 杨宁; 邹宗林; 林煜凤; 张明辉; 肖彦 【主权项内容】高压快速晶闸管，由管壳下封接件(1)、定位环(2)、半导体芯片(3)、垫片(4)、门极组件(5)、上封接件(6)封装而成，半导体芯片由硅片、钼片烧结而成，硅片包括PNPN三端结构，分为阳极区P1、长基区N1、短基区P2和阴极区N2，半导体芯片三个端子分别为阳极A、阴极K和门极G，其特征在于：在所述的阳极区P1表面增设阳极区P+，使硅片为P+PNPN三端结构；所述的阴极区N2为均匀分布有旋转环绕门极G的区域，门极G为与阴极区N2对应的渐开线指条。 【当前权利人】湖北台基半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】湖北省襄樊市襄城区胜利街162号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91420600757011852J 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4

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