【摘要】 本发明涉及一种高光效白光LED倒装芯片，其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)，在衬底(1)表面涂敷一层纳米荧光粉层(28)，其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。本发明由于在衬底上通过附着孔附着一层环形纳米荧光粉层，该纳米荧光粉层与普通的荧光粉相比，可以使得芯片发出的白光更加明亮可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】俞国宏 【申请人类型】个人 【申请人地址】322000 浙江省义乌市国际商贸城E区3楼8643 【申请人地区】中国 【申请人城市】金华市 【申请人区县】义乌市 【申请号】CN201210525411.3 【申请日】2012-02-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103050611B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103050611B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/50; H01L33/54; H01L33/38 【发明人】俞国宏 【主权项内容】一种高光效白光LED倒装芯片，其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)，在衬底(1)下表面涂敷一层纳米荧光粉层(28)，其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度；N型电极包括N型电极光穿透层ITO薄膜(191)和N型电极金属合金层(23)，其中N型电极光穿透层ITO薄膜(191)为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片的N型层(3)暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层(23)、金属层(11)以及绝缘介质膜(16)连接，其中N型电极金属合金层(23)位于阶梯结构上部的上方，金属层(11)和绝缘介质膜(16)位于阶梯结构上部的下方；P型电极包括P型电极金属合金层(24)和P型电极光穿透层ITO薄膜(192)，P型电极光穿透层ITO薄膜(192)上方与P型电极金属合金层(24)连接，P型电极光穿透层ITO薄膜(192)四周向下延伸至光穿透层(9)并且将下方的金属层(11)和二氧化硅层(10)限制于其中；N型电极金属合金层(23)与P型电极金属合金层(24)位于同一水平面；所述绝缘介质膜(16)与阶梯结构的中间部分和下部相平行，起到隔离N型电极光穿透层ITO薄膜(191)的作用；所述环状N型电极和所述P型电极通过各自的PCB板与散热结构(26)连接。 【当前权利人】江苏东科机电科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市吕四港镇海晏村十三组 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0

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