【摘要】本发明提供了一种基于移相控制的非隔离型变流拓扑结构,包括一开关电容电路和一变压电路;其中,开关电容电路由两个开关管、一高压电容、一谐振电容和一谐振电感连接组成,变压电路由两个开关管、一高压电容和一滤波电感连接组成;本发明还公开了采用
【摘要】 本发明涉及复合材料制备,旨在提供一种Ag-SiO2复合材料的制备方法。包括步骤:将聚苯乙烯微球加入浓硫酸中,搅拌2~8h后反复离心、去离子水洗涤,然后重新分散到无水乙醇中;再加入硝酸银水溶液,室温避光搅拌2~12h,离心、洗涤后,将所得固态产物分散在乙醇水溶液中;用氨水调节pH值,然后加入正硅酸乙酯,室温下搅拌,所得产物洗涤、干燥后,在550℃下保温,即获得Ag-SiO2复合材料。本发明通过控制SiO2微球特殊的中空及介孔结构,并且调节银的负载量,使负载在SiO2球壳内壁的银可以从球壳上的介孔缓慢扩散到球壳外部,从而实现对银离子溶出率以及溶出浓度的控制,可有效避免传统抗菌剂因银负载于材料外表面易发生的活性成分流失、抗菌性能降低等问题。。该数据由<>整理 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210139771.X 【申请日】2012-05-07 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102669177B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102669177B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】A01N59/16; A01N25/08; A01P1/00 【发明人】申乾宏; 刘艳; 王新敏; 盛建松; 杨介更; 杨辉 【主权项内容】一种Ag-SiO2复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将聚苯乙烯微球加入质量百分比浓度为98%的浓硫酸中,30~60℃下搅拌2~8h,反复离心、去离子水洗涤四次,然后重新分散到无水乙醇中,得到质量浓度为5g/L的磺化聚苯乙烯分散液;(2)在上述磺化聚苯乙烯分散液中,加入硝酸银水溶液,使混合后溶液中磺化聚苯乙烯与硝酸银的质量比为1∶1~1∶10;室温避光搅拌2~12h,离心、洗涤后,将所得固态产物在质量百分比浓度为50%的乙醇水溶液中分散,得到载银聚苯乙烯复合微球分散液;(3)将上述载银聚苯乙烯复合微球分散液用氨水调节pH值为8~11,然后加入正硅酸乙酯,室温下搅拌12~48h,所得产物经离心、洗涤、干燥后,在550℃下保温2~5h,即获得Ag-SiO2复合材料;所述步骤(1)中聚苯乙烯微球在浓硫酸中的质量浓度为5~30g/L;所述步骤(2)中硝酸银水溶液浓度为3~15g/L;控制步骤(3)中正硅酸乙酯的加入量为:使步骤(1)所述磺化聚苯乙烯分散液中的磺化聚苯乙烯与正硅酸乙酯的质量比为1∶10~1∶30。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7
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