【摘要】本发明公开了一种电荷补偿MOS半导体装置,本发明的半导体装置接一定的反向偏压时,漂移层中第一传导类型的半导体材料和沟槽内下部掺氧多晶半导体材料形成电荷补偿结构,提高器件的反向击穿电压,改善了传统半导体器件导通电阻与反向阻断特性之间的
【摘要】 本发明涉及一种用于风扇的叶轮,该种叶轮包括具有中心轴孔的大致锥形的轮毂、被连接到轮毂上的多个叶片和被连接到轮毂上的消音构件。本发明还提供了一种具有该种叶轮的风扇。 【专利类型】发明申请 【申请人】任文华 【申请人类型】个人 【申请人地址】310052 浙江省杭州市滨江区滨盛路3191号仁苑3幢2单元1402室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】滨江区 【申请号】CN201210336056.5 【申请日】2012-09-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103671244A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】F04D29/28; F04D29/66; F04D29/00; F04B41/06 【发明人】任文华 【主权项内容】一种用于风扇的叶轮,其特征在于,所述叶轮包括具有中心轴孔(9)的大致锥形的轮毂(16)、被连接到所述轮毂上的多个叶片(17)和被连接到所述轮毂上的消音构件(19)。 【当前权利人】任文华 【当前专利权人地址】浙江省杭州市滨江区滨盛路3191号仁苑3幢2单元1402室 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1
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