【摘要】 一种塑料切割装置，包括带有手柄的壳体，壳体上安装有两个相对应的金属探子，两个金属探子之间连接有金属丝，金属探子通过导线与电源插头连接，且导线上具有开关，手柄与壳体之间铰链连接。本发明手柄与壳体之间的铰链连接，使本发明实现多工作状态
【摘要】 一种LED芯片的制作工艺，包括：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。 【专利类型】发明申请 【申请人】杭州华普永明光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】311305 浙江省杭州市临安市青山湖街道泉口村15号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】临安区 【申请号】CN201210208831.9 【申请日】2012-06-25 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515488A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/48 【发明人】吕华丽 【主权项内容】微信 一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。 【当前权利人】杭州华普永明光电股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市临安市青山湖街道泉口村15号 【专利权人类型】股份有限公司(非上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】9133010057734385XL 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0
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