【摘要】 本发明公开了一种中高温红外发射率测试装置，包括中红外反射率测试系统、样品加热控制系统以及微机数据处理系统；中高温红外反射率测试系统包括红外光源、干涉仪、中红外积分球、红外检测器、A/D转换器和液氮冷却装置；样品加热控制系统包括样品加热台以及依次连接的通讯转换器、温度控制器、可控硅调压器、样品加热器和指示灯，所述的温度控制器连接有精密热电偶；所述的微机数据处理系统用于输入设定参数以及数据的采集和处理。本装置简单方便，可实现材料在20-600℃中高温范围内红外发射率的准确、快速测量，有望应用于中高温太阳能光热涂层等关键开发领域。。-官网 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】镇海区 【申请号】CN201210296858.8 【申请日】2012-08-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102830064B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102830064B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N21/00; G01N25/00 【发明人】刘志敏; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张公军; 许高杰; 李勇; 卢焕明 【主权项内容】一种中高温红外发射率测试装置，其特征在于，包括中红外反射率测试系统、样品加热控制系统以及微机数据处理系统；所述的中红外反射率测试系统包括红外光源、干涉仪、中红外积分球、红外检测器、A/D转换器和用于给红外检测器降温的液氮冷却装置；所述的样品加热控制系统包括样品加热台以及依次连接的通讯转换器、温度控制器、可控硅调压器、样品加热器和指示灯，所述的温度控制器连接有精密热电偶，所述的精密热电偶临近样品加热台；所述的可控硅调压器、样品加热器和指示灯与电源连接构成回路；所述的样品加热器设置在样品加热台上；所述的微机数据处理系统包括系统硬件和系统软件，所述的系统硬件包括微机，所述的系统软件安装在微机上，包括反射率测量模块、温度控制模块和发射率计算模块；所述的反射率测量模块用于处理中红外反射率测试系统的数据；温度控制模块用于控制温度控制器；发射率计算模块用于计算样品在任意温度下的中红外发射率值；其中，所述的干涉仪位于红外光源的光路上；所述的样品加热台位于干涉仪发出的干涉光的光路上；所述的中红外积分球位于样品表面产生的镜面反射和漫反射光线的光路上；所述的中红外积分球、红外检测器、A/D转换器及微机依次连接；所述的通讯转换器与微机连接；所述的微机数据处理系统的执行步骤包括：(1)通过温度控制模块控制温度控制器，控制样品的温度；(2)反射率测量模块根据中红外反射率测试系统的数据得出参考样品在任意温度T0下的反射率R0(λ, T0)随波长变化曲线，作为环境的背景噪声参考值；(3)反射率测量模块根据中红外反射率测试系统的数据得出待测样品在温度T1下的中红外反射率R1(λ, T1)随波长变化曲线；(4)通过发射率计算模块计算待测样品在温度T1下的中红外发射率值，包括：根据公式Ⅰ：输出温度为T1的黑体辐射强度Ib(λ, T1)随波长λ变化曲线，式Ⅰ中，h为普朗克常数，kB为玻耳兹曼常量，c为光速；根据公式Ⅱ：ϵ (T1)=∫ 2.520Ib(λ , T1)· (1-R1(λ , T1)/R0(λ , T0))dλ ∫ 2.520Ib(λ , T1)dλ , ]]>计算得到待测样品在温度T1下的发射率ε(T1)值。 【当前权利人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【当前专利权人地址】浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【统一社会信用代码】121000007178168758 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】29

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