【摘要】 本发明公开了一种无结薄膜晶体管的制作方法。该方法包括：首先，在绝缘衬底上依次沉积导电层、栅介质层与重掺杂半导体层；然后采用激光烧蚀工艺对得到的三层膜结构进行两类激光图形化开槽，分别形成用于分离源、漏电极与栅电极的第一隔离带，以及分离薄膜晶体管单元的第二隔离带，从而获得无结薄膜晶体管阵列。与现有技术相比，本发明只需要简单的三层薄膜沉积与激光选择性图形化烧蚀工艺，即可获得大面积无结薄膜晶体管阵列，极大地简化了制作工艺流程，降低了制作成本，在平板显示和便携式电子器件等领域具有十分广阔的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】镇海区 【申请号】CN201210077194.6 【申请日】2012-03-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623398B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623398B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/77 【发明人】万青; 竺立强; 张洪亮 【主权项内容】一种无结薄膜晶体管的制作方法，其特征是：包括如下工艺：首先，在绝缘衬底(1)上依次沉积导电层(2)、栅介质层(3)和重掺杂半导体层(4)，得到三层薄膜结构，所述的重掺杂半导体层同时作为晶体管的沟道、源、漏电极及侧栅电极，形成源、漏电极与栅电极的共平面结构；然后，采用激光烧蚀工艺自重掺杂半导体层(4)表面对该三层薄膜进行两类激光图形化开槽，其中一类将重掺杂半导体层(4)烧断，形成用于分离源、漏电极与栅电极的第一隔离带(5)，另一类将重掺杂半导体层(4)、栅介质层(3)以及导电层(2)烧断，形成用于分离薄膜晶体管单元的第二隔离带(6)，从而获得具有多个薄膜晶体管单元的无结薄膜晶体管阵列；所述的重掺杂半导体层(4)包括锡掺杂氧化铟薄膜、铟掺杂氧化锌薄膜或者重掺杂的硅薄膜。 【当前权利人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【当前专利权人地址】浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【统一社会信用代码】121000007178168758 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791399689.html