【摘要】 一种锆钛酸铅压电薄膜的制备方法，其特征在于采用溶胶-凝胶法进行制备，首先分别制备PbTiO3籽晶层稳态溶胶和PbZr1-xTixO3稳态溶胶；将PbTiO3籽晶层稳态溶胶旋转-涂覆在基片上作为过渡层和籽晶层，最后将PbZr1-xTixO3稳态溶胶旋转-涂覆在上述所制得的基片上，获得PbTiO3籽晶层诱导择优取向生长的PbZr1-xTixO3压电薄膜。本发明在基片上预先沉积PbTiO3作为过渡层和籽晶层，以降低PZT薄膜的成核自由能，从而降低晶化温度，改善PZT膜的微结构，并通过籽晶层的诱导作用，使得锆钛酸铅(PbZr1-xTixO3)压电薄膜沿着晶相择优生长，获得具有高压电系数的压电薄膜。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国兵器工业第五二研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】315103 浙江省宁波市科技园区凌云路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】鄞州区 【申请号】CN201210566762.9 【申请日】2012-12-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103880420A 【公开公告日】2014-06-25 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103880420B 【授权公告日】2015-07-22 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】C04B35/491; C04B35/624 【发明人】李明利; 纪松; 钱坤明; 张延松; 丁昂 【主权项内容】一种锆钛酸铅压电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)首先分别制备PbTiO3籽晶层稳态溶胶和PbZrl-xTixO3稳态溶胶，其中0.47≤x≤0.48；2)将PbTiO3籽晶层稳态溶胶旋转-涂覆在基片上，在大气气氛中，以2500~3500r/min的转速下匀胶30~60s，形成的湿膜在180~200℃烘干，控制在0.9～1.1L/min氧气流速中，以45~55℃/min的升温速率在500~700℃不同温度下进行退火处理，并根据籽晶层的层数重复该工艺1~3次，获得沉积有PbTO3过渡层的基片；3)将PbZrl-xTixO3稳态溶胶旋转-涂覆在步骤2)所制得的基片上，在大气气氛中，以2500~3500r/min的转速下匀胶30-60s，形成的湿膜在180~200℃烘干，控制在0.9～1.1L/min氧气流速中，以45~55℃/min的升温速率在500~700℃不同温度下进行退火处理，获得PbTiO3籽晶层诱导择优取向生长的PbZrl-xTixO3压电薄膜。 【当前权利人】中国兵器工业第五二研究所 【当前专利权人地址】浙江省宁波市科技园区凌云路199号 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4

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