【摘要】 本发明提供了一种硅靶材组件的钎焊方法。本发明硅靶材组件的钎焊方法以铟为钎焊材料，在硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层，之后将涂覆有铟钎料层的硅靶材和背板的焊接面相贴合，进行钎焊，形成靶材组件。经检验，采用本发明制得的硅靶材组件中，硅靶材和背板的结合率达到95%以上，其完全满足磁控溅射过程中，对于硅靶材和背板高强度结合的要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】宁波江丰电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN201210367293.8 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103692041A 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】B23K1/00 【发明人】姚力军; 相原俊夫; 大岩一彦; 潘杰; 王学泽; 宋佳 【主权项内容】一种硅靶材组件的钎焊方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅靶材和背板；分别在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层；将涂覆有所述铟钎料层的所述硅靶材和背板的焊接面贴合，进行钎焊，将所述硅靶材焊接至所述背板上，形成硅靶材组件；冷却所述硅靶材组件。 【当前权利人】宁波江丰电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 【引证次数】8.0 【被引证次数】18 【自引次数】5.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】18

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