【摘要】 一种铟锡氧化物靶材的制作方法，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对所述第二包套进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。本发明突破了ITO粉料不易成型，易分解，会被还原等特点带来的加工ITO靶材的局限，能形成具有优良的致密度、内部组织结构的均匀性的ITO靶材。 【专利类型】发明申请 【申请人】宁波江丰电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN201210426065.3 【申请日】2012-10-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103787651A 【公开公告日】2014-05-14 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103787651B 【授权公告日】2015-07-08 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】C04B35/457; C04B35/622; C23C14/06; C23C14/34 【发明人】姚力军; 相原俊夫; 大岩一彦; 潘杰; 王学泽; 宋佳 【主权项内容】一种铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对第二包套内的第二ITO靶材坯料进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。 【当前权利人】宁波江丰电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 【引证次数】5.0 【被引证次数】7 【他引次数】5.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7

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