【摘要】一种利用扫描仪测量胶料气孔率的方法，包括以下步骤：第一步，使用经过校准后的电子台秤测量胎冠的重量并记录，使用卷尺测量胎冠的长度并记录；第二步，测量完后用刀片从胎冠中部横向截取出100～200mm长度的胎冠；第三步，将截取后胎冠放入扫
【摘要】 本发明公开了一种限流电路，包括电压源(VDD)、输入端(IN)和输出端(OUT)，所述电压源(VDD)与第一PNP晶体管(P1)的源极和第二PNP晶体管(P2)的源极连接，以及通过电阻(R1)连接至第一PMOS晶体管(P1)的栅极和NMOS晶体管(N1)的漏极；所述输入端(IN)连接至第一PMOS晶体管(P1)的漏极和第二PMOS晶体管(P2)的栅极；第二PMOS晶体管(P2)与NMOS晶体管(N1)的栅极，并通过恒流源(I1)连接至输出端(OUT)；所述NPN晶体管(N1)的源极连接至输出端(OUT)。本发明的有益效果是：电路结构简单，自身功耗小，适用于集成电路中应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210346205.6 【申请日】2012-09-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684419A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03K19/094 【发明人】余力; 吴勇; 桑园 【主权项内容】一种限流电路，包括电压源(VDD)、输入端(IN)和输出端(OUT)，其特征在于，还包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、电阻(R1)、恒流源(I1)和NPN晶体管(N1)；所述电压源(VDD)与第一PNP晶体管(P1)的源极和第二PNP晶体管(P2)的源极连接，以及通过电阻(R1)连接至第一PMOS晶体管(P1)的栅极和NMOS晶体管(N1)的漏极；所述输入端(IN)连接至第一PMOS晶体管(P1)的漏极和第二PMOS晶体管(P2)的栅极；第二PMOS晶体管(P2)与NMOS晶体管(N1)的栅极，并通过恒流源(I1)连接至输出端(OUT)；所述NPN晶体管(N1)的源极连接至输出端(OUT)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791211293.html
