【摘要】 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导；环形脊波导与激活层组成环形谐振腔；环形脊波导为一个以上，各环形脊波导的周长互不相等；耦合波导与环形脊波导相邻设置。本发明结构简单紧凑，容易与其他器件集成；简化了工艺，降低了成本；避免了多个单纵模激光器有源层的叠加，减小了材料生长难度；激光光束的输出路径灵活可调且容易实现激光器的大规模集成。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】050000 河北省石家庄市新华区合作路113号 【申请人地区】中国 【申请人城市】石家庄市 【申请人区县】新华区 【申请号】CN201210001596.8 【申请日】2012-01-05 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102570310B 【公开公告日】2014-04-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102570310B 【授权公告日】2014-04-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/40; H01S5/22; H01S5/06 【发明人】齐利芳; 李献杰; 赵永林; 蔡道民; 尹顺政; 过帆 【主权项内容】一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，其特征在于自下而上依次包括衬底层(7)、缓冲层(6)、下包层(5)、激活层(4)、上包层(3)和欧姆接触层(2)；所述激光器上设有至少由欧姆接触层(2)与部分上包层(3)或全部上包层(3)共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导(10)以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导(9)；所述环形脊波导(10)与激活层(4)组成环形谐振腔；所述环形脊波导(10)为一个以上，各环形脊波导(10)的周长互不相等；所述耦合波导(9)与环形脊波导(10)相邻设置。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【当前专利权人地址】河北省石家庄市新华区合作路113号 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11

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