【摘要】本发明公开了一种缸-梁集成系统，包括支座、缸底、缸底法兰、缸口法兰和缸筒，缸底固定设于缸筒一端，并将缸筒该端密封覆盖，缸底法兰套设于缸筒一端外侧，缸口法兰套设于缸筒的另一端外侧，支座与缸底法兰和缸口法兰外侧固连，本发明将三个不同功能
【摘要】 本发明公开了一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置及其制备方法。本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的肖特基势垒二极管，具有倾斜金属场板的结构和增强层III-V半导体材料层。正向导通时，通过电导调制作用使得该半导体装置在正偏时的导通能力获得提升。反偏时，带有掺杂的增强层通过对2DEG的调制从而使得耐压能力获得提高。因此可以实现比传统肖特基势垒二极管更低的导通电阻Ron和更高的击穿电压Vbr。该结构适合应用于平面结构的功率器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江大学苏州工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210391027.9 【申请日】2012-10-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103730518A 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/872; H01L29/40; H01L29/06 【发明人】谢刚; 汤岑; 陈琛; 盛况; 汪涛; 郭清; 崔京京 【主权项内容】一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置，其特征在于：包括：传统的半导体肖特基结，具有半导体材料构成的漂移区和导电沟道；覆盖器件表面的同阳极电极接触的增强区域；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述阴极电极形成欧姆接触，阳极电极形成肖特基接触的斜坡门极。 【当前权利人】浙江大学苏州工业技术研究院 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【统一社会信用代码】12320500466958739C 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
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