【摘要】 本发明公开了一种具有桥墩式沟道结构的半导体装置，本发明的半导体装置为平面型结构器件；本发明的半导体装置具有采用深槽结构的栅极电极；本发明的半导体装置具有采用等间距间隔分布的桥墩式深槽结构；本发明的半导体装置具有栅极电极下方的绝缘层。在传统的凹槽型绝缘栅HEMT器件的基础上，通过将栅极电极下方的绝缘深槽进行等间距间隔分布，引入了额外的2DEG导电沟道，且该沟道不受到绝缘层侧壁工艺的影响，从而降低了导通电阻。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江大学苏州工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210390959.1 【申请日】2012-10-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103730489A 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/778; H01L29/10; H01L21/335 【发明人】盛况; 谢刚; 汤岑; 郭清; 汪涛; 崔京京 【主权项内容】一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极通过绝缘层与之隔离的N面堆叠。 【当前权利人】浙江大学苏州工业技术研究院 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【统一社会信用代码】12320500466958739C 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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