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低噪声带隙基准电路和基准源产生系统专利

时间:2026-09-30    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 低噪声带隙基准电路和基准源产生系统。所述基准源产生系统包括:带隙基准产生电路、低压差线性稳压电路以及低噪声带隙基准电路;所述低噪声带隙基准电路包括:启动电路、钳位电路、温度系数补偿电路和输出电路;所述启动电路用于向其他电路提供启动电压,并在其他电路启动后关闭;所述钳位电路,包括采用电流镜结构连接的四个MOS管,以实现钳位作用;所述温度系数补偿电路用于对钳位电路输出的电压进行温度系数补偿,并产生与温度无关的基准电压;所述输出电路用于输出第二基准电压。所述基准源产生系统具有极低噪声和较高的电源抑制比。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆山锐芯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215300 江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210173518.6 【申请日】2012-05-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102681584B 【公开公告日】2014-04-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102681584B 【授权公告日】2014-04-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G05F1/56 【发明人】张琦 【主权项内容】一种低噪声带隙基准电路,其特征在于,包括:启动电路、钳位电路、温度系数补偿电路和输出电路;所述启动电路用于向其他电路提供启动电压,并在其他电路启动后关闭;所述启动电路包括:第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管;所述第五PMOS管的栅极接收启动控制信号,源极连接第一基准电压,漏极连接第六PMOS管的源极;所述第六PMOS管的栅极连接第七PMOS管的栅极,漏极连接第七PMOS管的源极;所述第七PMOS管的栅极连接负向电压,漏极连接第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接收温度系数补偿电路输出的关断电压,源极连接负向电压;所述第四NMOS管的栅极接收启动控制信号,源极连接负向电压,漏极连接第三NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极连接第四NMOS管的漏极,漏极连接第一基准电压,源极连接第六NMOS管的漏极,并作为启动电路的输出端,输出启动电压;所述第六NMOS管的栅极接收启动控制信号,源极连接负向电压;所述钳位电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一PMOS管的栅极与漏极相连,源极耦接第一基准电压,漏极连接第一NMOS管的漏极;所述第一NMOS管的源极连接所述温度系数补偿电路,栅极连接第二NMOS管的栅极;所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极,源极耦接第一基准电压,漏极连接第二NMOS管的漏极;所述第二NMOS管的栅极连接漏极并连接至所述启动电路,源极连接所述温度系数补偿电路;所述温度系数补偿电路用于对钳位电路输出的电压进行温度系数补偿,并产生与温度无关的基准电压;所述输出电路连接所述温度系数补偿电路,用于接收所述与温度无关的基准电压并输出第二基准电压。 【当前权利人】锐芯微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320583672509889F 【引证次数】7.0 【被引证次数】1 【他引次数】7.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】36

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