【摘要】 本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，包括如下步骤：提供一基板；在基板上形成第一半导体图形和第二半导体图形；继续形成栅绝缘层和第一金属层，采用光刻形成栅极；接着沉积层间绝缘层，采用刻蚀的方法形成四个接触孔；继续形成第二金属层、源极、漏极和存储电容电极；接着继续形成钝化绝缘层和透明电极层；最后在整个表面形成保护膜层和蒸镀材料层，利用多灰阶掩膜板进行曝光形成台阶式保护膜层。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，利用多灰阶掩膜板进行曝光形成台阶式保护膜层，从而有效减小保护膜层的台阶差，降低AMOLED点缺陷显示不良的发生几率，进而提高AMOLED的显示品质。。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210080349.1 【申请日】2012-03-25 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623399B 【公开公告日】2014-08-27 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623399B 【授权公告日】2014-08-27 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/77 【发明人】高孝裕; 邱勇; 黄秀颀; 韩珍珍; 胡思明 【主权项内容】该数据由<>整理 1.一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板(20)；在基板(20)上形成缓冲层和半导体层，采用光刻形成第一半导体图形(201)和第二半导体图形(202)；在上述基板(20)上继续形成栅绝缘层(31)和第一金属层(212)，采用光刻形成栅极(211)；接着在上述基板(20)上沉积层间绝缘层(32)，采用刻蚀的方法在层间绝缘层(32)上形成第一接触孔(321)、第二接触孔(322)、第三接触孔(323)和第四接触孔(324)；在上述基板(20)上继续形成第二金属层(223)，采用光刻形成源极(221)、漏极(222)和存储电容电极，所述源极(221)通过第一接触孔(321)和第一半导体图形(201)相连，所述漏极(222)通过第二接触孔(322)和第一半导体图形(201)相连，所述存储电容电极通过第三接触孔(323)和第二半导体图形(202)相连；接着在上述基板(20)上方继续形成钝化绝缘层(33)覆盖源极(221)和漏极(222)；在钝化绝缘层(33)上蚀刻形成连通第四接触孔(324)的第五接触孔(331)；接下来在基板(20)上方形成透明电极膜层(414)，采用光刻形成透明电极层(231)，所述透明电极层(231)通过贯通的第四接触孔(324)、第五接触孔(331)和第一金属层(212)相连；最后，在基板(20)的整个表面形成保护膜层(413)和蒸镀材料层(412)，所述保护膜层(413)位于透明电极层(231)和蒸镀材料层(412)之间，利用多灰阶掩膜板(411)进行曝光，所述多灰阶掩膜板(411)为狭缝式三灰阶掩膜板或者半透光式三灰阶掩膜板；第一半导体图形(201)和第二半导体图形(202)所在位置为半曝光，透明电极层(231)所在位置为全曝光，其余区域为不曝光；形成台阶式保护膜层，所述台阶式保护膜层厚度为2微米，各台阶的高度差为0.5微米。 【当前权利人】昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路188号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320583695472572F 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11

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