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陶瓷真空继电器改良结构专利

时间:2026-09-29    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种陶瓷真空继电器改良结构,包括陶瓷真空密封罩和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点,在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩,可有效提高继电器的电负载寿命,并不会对继电器性能产生不良影响;同时在陶瓷真空密封罩内设一台阶,并在台阶上设了一层金属层,可以方便的将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山国力真空电器有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215301 江苏省苏州市昆山市开发区长江中路179号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210411009.2 【申请日】2012-10-25 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103779135A 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103779135B 【授权公告日】2016-08-10 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01H33/66; H01H33/662 【发明人】覃奀垚; 贾冰冰; 余佳; 陈腾腾 【主权项内容】一种陶瓷真空继电器改良结构,包括陶瓷真空密封罩(1)和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点,其特征在于:在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩(2)。 【当前权利人】昆山国力电子科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山开发区西湖路28号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320583724173046J 【家族引证次数】4.0

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