【摘要】 本发明涉及高纯低密度ITO靶材及其制备方法，其纯度大于等于99.99%，相对密度为55%~65%，平均晶粒尺寸≤50微米，该靶材的制备方法包括(1)提供ITO粉末，并将其液压成型为坯件；(2)将坯件置于炉中烧结，炉内真空度为10-4~10-3Pa，首先以50~300℃/h的升温速率升至800℃~900℃，保温4~24小时后，充入氧气，然后以100~400℃/h的升温速率升至900℃~1500℃，保温4~24小时后以20~100℃/h的降温速率降至常温，即得。本发明ITO靶材可以在高温条件下蒸发，而后沉积在玻璃基片上，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上获得ITO导电膜。。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州晶纯新材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号留学生创业园D-102 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】张家港市 【申请号】CN201210297220.6 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102826856B 【公开公告日】2014-02-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102826856B 【授权公告日】2014-02-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C14/08; C04B35/622; C04B35/457; C04B35/01 【发明人】钟小亮; 王广欣; 王树森 【主权项内容】一种高纯低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)提供球形和/或类球形、粒径为20~100nm的ITO粉末，并将其液压成型为坯件；(2)将步骤(1)所得坯件置于炉中进行烧结，烧结时，炉内真空度为10-4~10-3Pa，首先以50~300℃/h的升温速率将温度升至800℃~900℃，保温4~24小时后，充入氧气，然后以100~400℃/h的升温速率将温度升至900℃~1500℃，保温4~24小时后以20~100℃/h的降温速率降至常温，即得所述高纯低密度ITO靶材；所述的高纯低密度ITO靶材的纯度大于等于99.99%，相对密度为55%~65%，平均晶粒尺寸小于等于50微米。 【当前权利人】苏州晶纯新材料有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市张家港市国泰北路1号留学生创业园D-102 【专利权人类型】有限责任公司 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8

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