【摘要】 本发明揭示了一种微波太赫兹波探测器及其制备方法，以高电子迁移率晶体管为基本结构，该探测器在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构，条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅，条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极，且凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm，其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。并且本发明提出了完整而可行的该种探测器制备方法。应用本发明的技术方案，较之于传统的探测器系统的显著优点为：能够无需依赖任何光学元件辅助，即可实现对微波-太赫兹波辐射的功率响应和频率响应，为降低探测器系统复杂程度、减少成本提供了一种切实保障。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210073157.8 【申请日】2012-03-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593235B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593235B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/112; H01L31/18 【发明人】蒋春萍; 王亦 【主权项内容】微波太赫兹波探测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，所述高电子迁移率晶体管具有衬底、缓冲层、二维电子气通道、隔离层、掺杂层及盖帽层，其特征在于：所述探测器在有源区的台面设有背栅和两个以上串联共连的、且长度介于1μm至1mm的条状结构，所述条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅，条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极，且所述凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm，其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11

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