【摘要】 本发明公开了一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法。该自旋微波振荡器包括磁性多层膜以及与其连接的电极，磁性多层膜包括：种子层；形成于种子层上的，具有面内平衡磁化状态的第一磁性层；形成于第一磁性层之上的非磁性隔离层；形成于非磁性隔离层之上的具有垂直磁化的磁性自由层；以及形成于自由层之上的保护层。其制造方法为：采用磁控溅射方法在衬底上依次形成磁性多层膜，再通过微电子工艺将磁性多层膜加工为纳米柱状或点接触结构，并在磁性多层膜上设置上、下电极，形成目标产物。该自旋微波振荡器可获得大的微波功率输出，亦无需外加磁场，同时还具有尺寸小、结构简单、宽频可调和易集成等特点，且易于制备，成本低廉。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210129734.0 【申请日】2012-04-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102637939B 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102637939B 【授权公告日】2014-06-11 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01P7/00; H01P11/00 【发明人】曾中明; 张宝顺 【主权项内容】1. 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器，包括磁性多层膜以及与所述磁性多层膜连接的电极，其特征在于，所述磁性多层膜包括：由非磁性金属材料构成的种子层；形成于种子层上的，具有面内平衡磁化状态的第一磁性层(1)；形成于第一磁性层(1)之上的非磁性隔离层(2) ；形成于非磁性隔离层(2)之上的具有垂直磁化的磁性自由层(3)；以及，形成于自由层(3)之上的保护层；并且在所述自旋微波振荡器中固定层的初始磁化方向位于膜平面内，而磁性自由层的初始磁化方向垂直于膜平面，该固定层和磁性自由层的磁化方向呈90°，所述固定层即为第一磁性层。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】19

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